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SI7900AEDN-T1-GE3

  • 廠家：Vishay Siliconix
  • 封裝：PowerPAK? 1212-8 Dual
  • 批號：--
  • 數(shù)量：667 - 立即發(fā)貨
  • 價格：詢價
  • 類型：FET - 陣列
  • PDF：SI7900AEDN-T1-GE3

SI7900AEDN-T1-GE3

  • 包裝

    Digi-Reel? 可替代的包裝

  • 系列

    TrenchFET?

  • FET 類型

    2 N 溝道（雙）共漏

  • FET 功能

    邏輯電平門

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    20V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）

    6A

  • 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）

    26 毫歐 @ 8.5A，4.5V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）

    900mV @ 250μA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)

    16nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    -

  • 功率 - 最大值

    1.5W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    PowerPAK? 1212-8 雙

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

  • 產(chǎn)品描述備注