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RSD100N10TL
帶卷 (TR) 可替代的包裝
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MOSFET N 通道,金屬氧化物
邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動
100V
10A (Ta)
133 毫歐 @ 5A, 10V
2.5V @ 1mA
18nC @ 10V
700pF @ 25V
20W
表面貼裝
TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
MOSFET N-CH 100V 10A CPT3