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RJP020N06T100

  • 廠家：Rohm Semiconductor
  • 封裝：MPT3
  • 批號：--
  • 數(shù)量：1,000 - 立即發(fā)貨
  • 價格：2.542
  • 類型：FET - 單
  • PDF：RJP020N06T100

RJP020N06T100

  • 包裝

    帶卷 （TR） 可替代的包裝

  • 系列

    -

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    60V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）

    2A （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）

    240 毫歐 @ 2A，4.5V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）

    1.5V @ 1mA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)

    10nC @ 4V

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    160pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    500mW

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    TO-243AA

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89

  • 產(chǎn)品描述備注