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RFD12N06RLESM9A

  • 廠家：Fairchild Semiconductor
  • 封裝：TO-252-3
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：7,500 - 立即發(fā)貨5,000 - 廠方庫(kù)存
  • 價(jià)格：2.321
  • 類(lèi)型：FET - 單
  • PDF：RFD12N06RLESM9A

RFD12N06RLESM9A

  • 包裝

    帶卷 （TR） 可替代的包裝

  • 系列

    UltraFET??

  • FET 類(lèi)型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    邏輯電平門(mén)

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    60V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    18A

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    63 毫歐 @ 18A，10V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    3V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    15nC @ 10V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    485pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    49W

  • 安裝類(lèi)型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明

    MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

  • 產(chǎn)品描述備注