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RDN100N20FU6

  • 廠家：Rohm Semiconductor
  • 封裝：TO-220FN
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：283 - 立即發(fā)貨
  • 價(jià)格：19.110
  • 類型：FET - 單
  • PDF：RDN100N20FU6

RDN100N20FU6

  • 包裝

    散裝

  • 系列

    -

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    200V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    10A （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    360 毫歐 @ 5A，10V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    4V @ 1mA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    30nC @ 10V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    543pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    35W

  • 安裝類型

    通孔

  • 封裝/外殼

    TO-220-3 整包

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說明

    MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

  • 產(chǎn)品描述備注