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PMBFJ112,215

  • 廠家：NXP Semiconductors
  • 封裝：SOT23 (TO-236AB)
  • 批號：--
  • 數(shù)量：5,857 - 立即發(fā)貨
  • 價(jià)格：詢價(jià)
  • 類型：JFET（結(jié)點(diǎn)場效應(yīng)）
  • PDF：PMBFJ112,215

PMBFJ112,215

  • 包裝

    Digi-Reel? 可替代的包裝

  • 系列

    -

  • FET 類型

    N 溝道

  • 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)

    40V

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    40V

  • 不同 Vds (Vgs=0) 時(shí)的電流 - 漏極 (Idss)

    5mA @ 15V

  • 漏極電流 (Id) - 最大值

    -

  • 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）

    5V @ 1μA

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    6pF @ 10V（VGS）

  • 電阻 - RDS（開）

    50 歐姆

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 功率 - 最大值

    300mW

  • 產(chǎn)品簡介說明

    JFET N-CH 40V 300MW SOT23

  • 產(chǎn)品描述備注