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IXFT18N100Q3

  • 廠家：IXYS
  • 封裝：TO-268
  • 批號：--
  • 數(shù)量：28 - 立即發(fā)貨
  • 價格：110.250
  • 類型：FET - 單
  • PDF：IXFT18N100Q3

IXFT18N100Q3

  • 包裝

    管件

  • 系列

    HiPerFET??

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    標準

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    1000V（1kV）

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）

    18A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）

    660 毫歐 @ 9A，10V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）

    6.5V @ 4mA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)

    90nC @ 10V

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    4890pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    830W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268

  • 產(chǎn)品描述備注