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HYB25D512800CE-5
帶卷 (TR) 可替代的包裝
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RAM
DDR SDRAM
512M(64M x 8)
200MHz
并聯(lián)
2.3 V ~ 2.7 V
0°C ~ 70°C
66-TSSOP(0.400",10.16mm 寬)
IC DDR SDRAM 512M 200MHZ 66TSOP