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HN3C10FUTE85LF

  • 廠家：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封裝：US6
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：2,996 - 立即發(fā)貨
  • 價(jià)格：詢價(jià)
  • 類型：RF 晶體管
  • PDF：HN3C10FUTE85LF

HN3C10FUTE85LF

  • 包裝

    Digi-Reel? 可替代的包裝

  • 系列

    -

  • 晶體管類型

    2 NPN（雙）

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）

    12V

  • 頻率 - 躍遷

    7GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）

    1.1dB @ 1GHz

  • 增益

    11.5dB

  • 功率 - 最大值

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí)的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）

    80 @ 20mA，10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）

    80mA

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    6-TSSOP，SC-88，SOT-363

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明

    TRANSISTOR NPN US6

  • 產(chǎn)品描述備注