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HGTP10N120BN

  • 廠家：Fairchild Semiconductor
  • 封裝：TO-220AB
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價(jià)格：詢價(jià)
  • 類型：IGBT - 單路
  • PDF：HGTP10N120BN

HGTP10N120BN

  • 包裝

    管件

  • 系列

    -

  • IGBT 類型

    NPT

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）

    1200V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）

    35A

  • Current - Collector Pulsed (Icm)

    80A

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)

    2.7V @ 15V，10A

  • 功率 - 最大值

    298W

  • Switching Energy

    320μJ （開）， 800μJ （關(guān)）

  • 輸入類型

    標(biāo)準(zhǔn)

  • Gate Charge

    100nC

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值

    23ns/165ns

  • Test Condition

    960V, 10A, 10 歐姆, 15V

  • 反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)

    -

  • 封裝/外殼

    TO-220-3

  • 安裝類型

    通孔

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明

    IGBT 1200V 35A 298W TO220AB

  • 產(chǎn)品描述備注