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HGT1S12N60A4DS

  • 廠家：Fairchild Semiconductor
  • 封裝：D2PAK
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：電詢(xún)
  • 價(jià)格：詢(xún)價(jià)
  • 類(lèi)型：IGBT - 單路
  • PDF：HGT1S12N60A4DS

HGT1S12N60A4DS

  • 包裝

    管件

  • 系列

    -

  • IGBT 類(lèi)型

    -

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）

    600V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）

    54A

  • Current - Collector Pulsed (Icm)

    96A

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)

    2.7V @ 15V，12A

  • 功率 - 最大值

    167W

  • Switching Energy

    55μJ （開(kāi)）， 50μJ （關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型

    標(biāo)準(zhǔn)

  • Gate Charge

    78nC

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值

    17ns/96ns

  • Test Condition

    390V, 12A, 10 歐姆, 15V

  • 反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)

    30ns

  • 封裝/外殼

    TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

  • 安裝類(lèi)型

    表面貼裝

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明

    IGBT 600V 54A 167W D2PAK

  • 產(chǎn)品描述備注