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HGT1S10N120BNS

  • 廠家：Fairchild Semiconductor
  • 封裝：TO-263AB
  • 批號：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價格：詢價
  • 類型：IGBT - 單路
  • PDF：HGT1S10N120BNS

HGT1S10N120BNS

  • 包裝

    管件

  • 系列

    -

  • IGBT 類型

    NPT

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）

    1200V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）

    35A

  • Current - Collector Pulsed (Icm)

    80A

  • 不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)

    2.7V @ 15V，10A

  • 功率 - 最大值

    298W

  • Switching Energy

    320μJ （開）， 800μJ （關(guān)）

  • 輸入類型

    標(biāo)準(zhǔn)

  • Gate Charge

    100nC

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值

    23ns/165ns

  • Test Condition

    960V, 10A, 10 歐姆, 15V

  • 反向恢復(fù)時間 (trr)

    -

  • 封裝/外殼

    TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

  • 產(chǎn)品簡介說明

    IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

  • 產(chǎn)品描述備注