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GT30J121(Q)

  • 廠家：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封裝：TO-3P（N）
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價(jià)格：38.415
  • 類型：IGBT - 單路
  • PDF：GT30J121(Q)

GT30J121(Q)

  • 包裝

    管件

  • 系列

    -

  • IGBT 類型

    -

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）

    600V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）

    30A

  • Current - Collector Pulsed (Icm)

    60A

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)

    2.45V @ 15V，30A

  • 功率 - 最大值

    170W

  • Switching Energy

    1mJ （開）， 800μJ （關(guān)）

  • 輸入類型

    標(biāo)準(zhǔn)

  • Gate Charge

    -

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值

    90ns/300ns

  • Test Condition

    300V， 30A， 24 歐姆， 15V

  • 反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)

    -

  • 封裝/外殼

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 安裝類型

    通孔

  • 產(chǎn)品簡介說明

    IGBT 600V 30A 170W TO3PN

  • 產(chǎn)品描述備注