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GT10G131(TE12L,Q)

  • 廠家：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封裝：8-SOP（5.5x6.0）
  • 批號：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價格：9.374
  • 類型：IGBT - 單路
  • PDF：GT10G131(TE12L,Q)

GT10G131(TE12L,Q)

  • 包裝

    帶卷 （TR）

  • 系列

    -

  • IGBT 類型

    -

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）

    400V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）

    -

  • Current - Collector Pulsed (Icm)

    200A

  • 不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)

    2.3V @ 4V @ 200A

  • 功率 - 最大值

    1W

  • Switching Energy

    -

  • 輸入類型

    標準

  • Gate Charge

    -

  • 25°C 時 Td（開/關）值

    3.1μs/2μs

  • Test Condition

    -

  • 反向恢復時間 (trr)

    -

  • 封裝/外殼

    8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 產(chǎn)品簡介說明

    IGBT 400V 1W 8-SOIC

  • 產(chǎn)品描述備注