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EPC2010ENGR

  • 廠家：EPC
  • 封裝：*
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：734 - 立即發(fā)貨
  • 價(jià)格：89.950
  • 類型：FET - 單
  • PDF：EPC2010ENGR

EPC2010ENGR

  • 包裝

    *

  • 系列

    eGaN?

  • FET 類型

    GaNFET N 通道，氮化鎵

  • FET 功能

    邏輯電平門(mén)

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    200V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    12A （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    25 毫歐 @ 6A，5V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    2.5V @ 3mA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    5nC @ 5V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    480pF @ 100V

  • 功率 - 最大值

    -

  • 安裝類型

    *

  • 封裝/外殼

    -

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明

    TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE

  • 產(chǎn)品描述備注