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CSD25303W1015

  • 廠家：Texas Instruments
  • 封裝：6-DSBGA（1x1.5）
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：4,092,000 - 廠方庫(kù)存
  • 價(jià)格：2.507
  • 類型：FET - 單
  • PDF：CSD25303W1015

CSD25303W1015

  • 包裝

    帶卷 （TR）

  • 系列

    NexFET??

  • FET 類型

    MOSFET P 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    邏輯電平門(mén)

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    20V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    3A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    58 毫歐 @ 1.5A，4.5V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    1V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    4.3nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    435pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    1.5W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    6-UFBGA，DSBGA

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明

    MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

  • 產(chǎn)品描述備注