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2SK3666-2-TB-E

  • 廠(chǎng)家：ON Semiconductor
  • 封裝：3-CP
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：電詢(xún)
  • 價(jià)格：0.551
  • 類(lèi)型：JFET（結(jié)點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)）
  • PDF：2SK3666-2-TB-E

2SK3666-2-TB-E

  • 包裝

    帶卷 （TR）

  • 系列

    -

  • FET 類(lèi)型

    N 溝道

  • 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)

    -

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    30V

  • 不同 Vds (Vgs=0) 時(shí)的電流 - 漏極 (Idss)

    600μA @ 10V

  • 漏極電流 (Id) - 最大值

    10mA

  • 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）

    180mV @ 1μA

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    4pF @ 10V

  • 電阻 - RDS（開(kāi)）

    200 歐姆

  • 安裝類(lèi)型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 功率 - 最大值

    200mW

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明

    JFET N-CH 10MA 200MW CP

  • 產(chǎn)品描述備注