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HN1C01FE-GR(5L,F,T

  • 廠家:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封裝:ES6
  • 批號:--
  • 數(shù)量:1,800 - 立即發(fā)貨
  • 價格:詢價
  • 類型:晶體管(BJT) - 陣列
  • PDF:HN1C01FE-GR(5L,F,T

HN1C01FE-GR(5L,F,T

  • 包裝

    Digi-Reel? 可替代的包裝

  • 系列

    -

  • 晶體管類型

    2 NPN(雙)

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值)

    150mA

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)

    50V

  • 不同?Ib、Ic 時的?Vce 飽和值(最大值)

    250mV @ 10mA,100mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值)

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)(最小值)

    200 @ 2mA,6V

  • 功率 - 最大值

    100mW

  • 頻率 - 躍遷

    80MHz

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    SOT-563,SOT-666

  • 產(chǎn)品簡介說明

    TRAN DUAL NPN 50V 0.15A ES6

  • 產(chǎn)品描述備注

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