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GT10J312(Q)

  • 廠家：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封裝：TO-220SM
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價(jià)格：詢價(jià)
  • 類型：IGBT - 單路
  • PDF：GT10J312(Q)

GT10J312(Q)

  • 包裝

    管件

  • 系列

    -

  • IGBT 類型

    -

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）

    600V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）

    10A

  • Current - Collector Pulsed (Icm)

    20A

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)

    2.7V @ 15V，10A

  • 功率 - 最大值

    60W

  • Switching Energy

    -

  • 輸入類型

    標(biāo)準(zhǔn)

  • Gate Charge

    -

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值

    400ns/400ns

  • Test Condition

    300V， 10A， 100 歐姆， 15V

  • 反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)

    200ns

  • 封裝/外殼

    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明

    IGBT 600V 10A 60W TO220SM

  • 產(chǎn)品描述備注

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