ALD110900SAL

包裝
管件
系列
EPAD?， Zero Threshold?
FET 類(lèi)型
2 N 溝道（雙）配對(duì)
FET 功能
標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)
10.6V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）
12mA， 3mA
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
500 歐姆 @ 4V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）
20mV @ 1μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)
-
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)
2.5pF @ 5V
功率 - 最大值
500mW
安裝類(lèi)型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明
MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC
產(chǎn)品描述備注

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