ALD110914SAL

包裝
管件
系列
EPAD?
FET 類型
2 N 溝道（雙）配對
FET 功能
標準
漏源極電壓 (Vdss)
10.6V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）
12mA， 3mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）
500 歐姆 @ 5.4V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）
1.42V @ 1μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)
-
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)
2.5pF @ 5V
功率 - 最大值
500mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
產(chǎn)品簡介說明
MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC
產(chǎn)品描述備注

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