RSD140P06TL

包裝
帶卷（TR）可替代的包裝
系列
-
FET 類型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能
邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng)
漏源極電壓 (Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）
14A （Ta）
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
84 毫歐 @ 14A， 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）
3V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)
27nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)
1900pF @ 10V
功率 - 最大值
20W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
產(chǎn)品簡(jiǎn)介說明
MOSFET P-CH 60V 14A CPT3
產(chǎn)品描述備注

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